A partire da novembre 2024 il Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” ha accolto tra i suoi ricercatori e ricercatrici il Dott. Nicolò Zagni.
L’attività di ricerca del Dott. Zagni si inserisce nell’ambito dei dispositivi elettronici a semiconduttore. In particolare, la sua attività è focalizzata sull’ottimizzazione delle prestazioni e dell’affidabilità dei componenti elettronici attraverso l’utilizzo di un approccio che combina attività sperimentale e di modellizzazione. Questo tipo di metodologia viene prevalentemente utilizzata per analizzare nel dettaglio gli effetti c.d. di intrappolamento sul funzionamento dei dispositivi a semiconduttore quali ad esempio transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) in nitruro di gallio, GaN, una tecnologia molto rilevante nel campo dell’elettronica di potenza che garantisce una miglior efficienza energetica rispetto ai dispositivi tradizionali in silicio.
Il carattere internazionale e collaborativo dell’attività di ricerca del dott. Zagni è evidenziato dalle numerose collaborazioni attive con gruppi di ricerca e/o aziende nazionali e internazionali. Alcuni dei progetti europei che hanno visto coinvolto il Dott. Zagni recentemente sono “GaN for advanced applications” ( https://www.gan4ap-project.org/ ) e “Vertical GaN on Silicon” ( https://www.yesvgan.eu/en/ ).